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    英特爾構建1000萬個QLC 3D NAND固態驅動器

    英特爾存儲與存儲部門根據在中國大連制造的QLC NAND芯片生產了數量為1000萬個的QLC 3D NAND固態硬盤(SSD)。

    該產品于2018年底開始生產,這一里程碑將QLC(四級單元存儲器)確立為大容量驅動器的主流技術。

    英特爾客戶SSD戰略規劃和產品營銷總監Dave Lundell表示:“許多公司都在談論QLC技術,但英特爾已經大規模交付了它。”“我們已經看到了對獨立QLC SSD(英特爾SSD 660p)具有成本效益的容量以及我們的Intel Optane Technology + QLC解決方案(Intel Optane Memory H10)的性能的強烈需求。”

    以下是與成就相關的一些事實:

    Intel QLC 3D NAND用于Intel SSD 660p,Intel SSD 665p和Intel Optane Memory H10存儲解決方案。

    英特爾QLC驅動器每個單元具有4位,并以64層和96層NAND配置存儲數據。

    過去十年來,英特爾一直在開發這項技術。在2016年,英特爾工程師將業已證明的浮柵(FG)技術的方向更改為垂直,并將其包裹在柵的全方位結構中。最終的3D三單元級(TLC)技術可以存儲384 Gb /管芯。在2018年,3D QLC閃存成為現實,具有64個層,每個單元具有4位,能夠存儲1,024 Gb /管芯。在2019年,英特爾遷移到96層,從而降低了總體面密度。

    QLC現在是英特爾總體存儲產品組合的一部分,其中包括客戶端和數據中心產品

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